P3-17_Partial Isolation Type Buried Channel Array Transistor (Pi- BCAT)에서 Passing gate의 영향에 대한 문턱전압과 누설전류 분석 (Analysis of Threshold Voltage and Leakage Current on the Effect of Passing Gate in Partial Isolation Type B > 학생포스터 발표

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제출일시: 2022. 5. 31.(화) 18:00까지

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세션3: 에너지 P3-17_Partial Isolation Type Buried Channel Array Transistor (Pi- BCAT)에서 Passing gate의 영향에 대한 문턱전압과 누설전류 분석 (Analysis of Threshold Voltage and Leakage Current on the Effect of Passing Gate in Partial Isolation Type B_김수연 수정

조회 112회 작성일 22-05-10 17:33